
極低的導通內阻和柵極電荷,100%經過UIS和 ΔVds 測試
· 極低的導通內阻和柵極電荷
· 100%經過UIS和 ΔVds 測試
NCEP6050AQU 采用 Super Trench 技術,該技術經過獨特優化,可提供最高效的高頻開關性能。得益於極低的 RDS(ON) 與 Qg 綜合值,該器件的導通損耗與開關損耗均被降至最低。本器件是高頻開關與同步整流應用的理想選擇
1. 優異的FOM品質因數 優化Rds(on)×Qg綜合品質因數,同時實現低導通電阻與低柵電荷,導通損耗、開關損耗雙低,專門面向高頻開關、同步整流場景; |
2. 大電流能力 連續漏極電流 50A,100℃高溫下仍可維持 39A 連續電流,脈衝電流可達 200A,抗衝擊負載能力強; |
3. 雪崩可靠性高 100% UIS、100%ΔVds 出廠測試;單脈衝雪崩能量 EAS=350mJ,對感性負載的電壓尖峰耐受能力強,器件批次一緻性高,降低炸管失效風險; |
4. 小尺寸 DFN 封裝,高功率密度 DFN3.3×3.3‑8L 超小型 QFN 無引腳封裝,占位面積小;底部大面積裸露焊盤,PCB 鋪銅即可高效散熱,實現小體積承載大電流,滿足設備小型化、高密度板卡設計 |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 品牌 | 新潔能 NCE |
| 產品類別 | 12-300VNMOS |
| 耐壓 | 60V |
| 導通電阻@10V | 6.5mΩ |
| 導通電阻@4.5V | 7.7mΩ |
| 連續漏極電流 | 50A |
| 柵源極閾值電壓 | 1.8V |
| 封裝 | DFN3.3X3.3-8L |
| 工作溫度 | -55-150℃ |
詳細參數以原廠規格書為準。
1. ON NTTFS5C670NL
2. AOS AON7244
3. ROHM AG015FLH7FRA
替代原因:參數匹配,封裝兼容,無需改版,可實現國產化降本
替代關系以規格書與實測確認為準,拿不準可點此QQ谘詢
| 應用產品 | 服務器、工控板卡、電源適配器、通訊電源,路由器,無線AP |
2N7002K 同批次已上架 | NCE0103Y 同批次已上架 | NCEP020N10LL 同批次已上架 |
NCE0102 新潔能已上架MOS管 | NCE2301 新潔能已上架MOS管 | NCE2305 新潔能已上架MOS管 |
MOS管分類 | 功率器件MOS分類 | 新潔能品牌專區 |

複製產品鏈接
長按圖片保存/分享