
低柵極電荷,極佳的導通內阻,雪崩電壓和電流參數經過全面表征,具備高EAS,良好的穩定性和均勻性,采購優質封裝,散熱性能良好
· 低柵極電荷
· 極佳的導通內阻
· 雪崩電壓和電流參數經過全面表征
· 具備高EAS
· 良好的穩定性和均勻性
· 采購優質封裝
· 散熱性能良好
NCE6080K 采用先進的溝槽工藝與設計,在保持低柵極電荷的同 時,可提供優異的 RDS(ON) 性能,適用於多種應用場景
1. 低導通損耗 高密度溝槽單元設計,7mΩ 低 Rds (on)max,大電流工況導通損耗小、發熱低; |
2. 優異雪崩可靠性 100% UIS 雪崩測試、100%ΔVds 測試,單脈衝雪崩能量 EAS=390mJ,感性負載電壓尖峰抗衝擊能力強,器件一緻性高,降低炸管風險; |
3. 開關特性均衡 總柵電荷 Qg=90nC,在低 Rds (on) 的前提下柵電荷控製合理,平衡導通損耗與開關損耗,適配 PWM 高頻工作; |
4. 封裝 TO‑252‑2L 貼片封裝散熱性能好,適合板載大功率設計,無需額外外加散熱器; |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 品牌 | 新潔能 NCE |
| 產品類別 | 12-300VNMOS |
| 耐壓 | 60V |
| 導通電阻@10V | 6mΩ |
| 連續漏極電流 | 80A |
| 柵源極閾值電壓 | 2.8V |
| 封裝 | TO-252-2L |
| 工作溫度 | -55-175℃ |
詳細參數以原廠規格書為準。
1. ON NTD5862N
2. Infineon IRFR1018E
3. DIODES DMTH6006SK3
替代原因:參數匹配,封裝兼容,無需改版,可實現國產化降本
替代關系以規格書與實測確認為準,拿不準可點此QQ谘詢
| 應用產品 | 戶外儲能電源、UPS、微型光伏逆變器、大功率 DC-DC、破壁機 |
NCEP60T12AK 同批次已上架 | NCE6005AR 同批次已上架 | NCEP6050AQU 同批次已上架 |
NCE0102 新潔能已上架MOS管 | NCE2301 新潔能已上架MOS管 | NCE2305 新潔能已上架MOS管 |
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