
低柵極電荷,出色的導通電阻,雪崩電壓和電流經過全面表征,高單脈衝雪崩能量,出色的穩定性和均勻性,散熱性能良好
· 低柵極電荷
· 出色的導通電阻
· 雪崩電壓和電流經過全面表征
· 高單脈衝雪崩能量
· 出色的穩定性和均勻性
· 散熱性能良好
NCE6005AS 采用先進的溝槽工藝與設計,在具備低柵極電荷特性的同時,可提供優異的 RDS(ON) 性能,適用於多種應用場景
1. SOP‑8L 雙管集成 一顆封裝內部集成兩組獨立 60V N 溝道 MOS,替代 2 顆獨立 SOP‑8 MOS 器件,減少器件數量,簡化 BOM,縮小電路板面積,適合緊湊型板卡設計; |
2. 低導通電阻 導通損耗低,兼顧4.5V 低壓驅動,適配 MCU、低成本控製器低電壓輸出驅動,無需額外柵極升壓電路; |
3. 低柵極電荷 總柵電荷 Qg 僅 25nC,開關延時短,適合硬開關、高頻電路; |
4. 雪崩可靠性高 100% UIS、100%ΔVds、100% Rg 三項出廠測試;單脈衝雪崩能量 EAS=65mJ,批次一緻性好,可抵禦感性負載電壓尖峰; |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 品牌 | 新潔能 NCE |
| 產品類別 | 12-300VDualMOS |
| 耐壓 | 60V |
| 導通電阻@10V | 26mΩ |
| 導通電阻@4.5V | 32mΩ |
| 連續漏極電流 | 5A |
| 柵源極閾值電壓 | 1.6V |
| 封裝 | SOP-8L |
| 工作溫度 | -55-150℃ |
詳細參數以原廠規格書為準。
1. ROHM SP8K33HZG
替代原因:參數匹配,封裝兼容,無需改版,可實現國產化降本
替代關系以規格書與實測確認為準,拿不準可點此QQ谘詢
| 應用產品 | 便攜充電器、LED燈帶、面板燈、無線 AP、路由器 |
NCE3416 同批次已上架 | NCE3404 同批次已上架 | NCE3400AY 同批次已上架 |
NCE0102 新潔能已上架MOS管 | NCE2301 新潔能已上架MOS管 | NCE2305 新潔能已上架MOS管 |
MOS管分類 | 功率器件MOS分類 | 新潔能品牌專區 |

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