
低導通電阻,低柵極電荷,高功率及高電流處理能力
· 低導通電阻
· 低柵極電荷
· 高功率及高電流處理能力
NCE4953 采用先進的溝槽製造工藝,可實現優異的 RDS(ON) 值、低柵極電荷特性,且在低至 4.5 V 的柵極電壓下即可正常工作。該器件適用於作為負載開關或用於 PWM 應用場景。
1. 雙PMOS 一顆 SOP‑8 內部集成兩路獨立 P 溝道 MOS管,可同時做兩路高側電源開關;相比使用 2 顆 SOT‑23 單管,減少器件數量、簡化 BOM,縮小布板面積,適合多路電源門控場景; |
2. 低導通內阻 導通損耗低,發熱小; |
3. 電流、功率與散熱能力強 單路連續電流‑5.1A,脈衝峰值電流‑20A,抗上電浪湧衝擊,SOP‑8 封裝最大耗散功率 2.5W,散熱性能顯著更好,適合更大持續電流工況,溫升更低; |
4. 低柵極電荷 開關速度快,既適合靜態負載開關,也支持高頻 PWM 調光、PWM 調速應用; |
5. 自帶源漏體二極管 內置體二極管,感性負載(電機、風扇)可實現續流,部分場景省去外部續流二極管 |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 品牌 | 新潔能 NCE |
| 產品類別 | 12-300VDual MOS |
| 耐壓 | -30V |
| 導通電阻@10V | 43mΩ |
| 導通電阻@4.5V | 62mΩ |
| 連續漏極電流 | -5.1A |
| 柵源極閾值電壓 | -1.6V |
| 封裝 | SOP-8 |
| 工作溫度 | -55-150℃ |
詳細參數以原廠規格書為準。
1. DIODES ZXMP3A16DN8
2. Infineon IRF7316
3. ROHM SP8J1
替代原因:參數匹配,封裝兼容,無需改版,可實現國產化降本
替代關系以規格書與實測確認為準,拿不準可點此QQ谘詢
| 應用產品 | 工業無線 AP、路由器、網關,無人機、機器人 |
NCE4614 同批次已上架 | NCE4606 同批次已上架 | NCE3415 同批次已上架 |
NCE3401 新潔能已上架MOS管 | NCE3407 新潔能已上架MOS管 | NCE4435 新潔能已上架MOS管 |
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