RX-8803LC
内置DTCXO, 高精度 I2C-Bus接口的实时时钟模块
- 品牌： EPSON
- 尺寸/封装： 3.6 x 2.8 x 1.2 mm
- 重要参数： ±3.4,±5ppm
- 电压： 1.6-5.5V
- 接口： I2C
- 频率： 32.768KHz
- 工作温度： -40~+85℃
- 封装： VSOJ-12
- 产品参数
- 品牌： EPSON
- 尺寸/封装： 3.6 x 2.8 x 1.2 mm
- 重要参数： ±3.4,±5ppm
- 电压： 1.6-5.5V
- 接口： I2C
- 频率： 32.768KHz
- 工作温度： -40~+85℃
- 封装： VSOJ-12
电路框图
概览
高精度
- UA ± 3.4 x 10-6 / -40°C to +85°C (相当于每月 ±9 秒偏差)
- UB ± 5.0 x 10-6 / -40°C to +85°C (相当于每月 ±13 秒偏差)
- UC ± 5.0 x 10-6 / -30°C to +70°C (相当于每月 ±13 秒偏差)
- AA (+5 ± 5.0) x 10-6 / +25°C
- 高精度:带捕捉缓存的1/100s精度的时间寄存器
32.768kHz 频率输出功能
- FOUT 引脚输出 (C-MOS 输出), CL=30pF
- 可选择输出频率为32.768kHz, 1024Hz, 或 1Hz.
不同的中断
- 定时器功能可设置为：在1/4096秒到4095分钟之间的值
- 报警功能可以设置星期,日期,小时或分钟.
EVIN 输入
- 与1PPS信号输入时间同步功能
- 向上和RX-8801的寄存器兼容
- * 通过端子的连接,可以用作数字温度补偿功能的32.768kHz时钟.
规格(特征)
电气特征
| 项目 | 符号 | 条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压 | VDD | 接口动作 | 1.6 | 3.0 | 5.5 | V | |
| 温度补偿电压 | VTEM | 温度补偿动作 | 2.2 | 3.0 | 5.5 | V | |
| 计时器电压 | VCLK | 内部计时动作 | 1.6 | 3.0 | 5.5 | V | |
| 工作温度 | TOPR | - | -40 | +25 | +85 | °C | |
| 频率精度 | Δf/f | UA | Ta = -40°C to +85°C | ±3.4*1 | ×10-6 | ||
| UB | Ta = -40°C to +85°C | ±5.0*2 | |||||
| UC | Ta = -30°C to +70°C | ||||||
| AA | Ta = +25°C | 5 ± 5.0*3 | |||||
| 功耗(1) | IDD1 | 计时保持动作时, FOE = GND, /INT = VDD FOUT output : OFF | VDD = 5V | - | 1.2 | 3.4 | µA |
| 功耗(2) | IDD2 | VDD = 3V | - | 0.8 | 2.1 | ||
*1) 相当于每月 ±9 秒偏差。 *2) *3) 相当于每月 ±13 秒偏差。 ( excluding offset )
32.768kHz-DTCXO Frequency temperature characteristics (Example)
引脚功能定义
| 信号名称 | 输入 输出 | 功能 |
|---|---|---|
| T1(CE) | 输入 | 生产商用于进行测试。 （请勿进行外部连接。） |
| SCL | 输入 | 串行时钟输入引脚。 |
| FOUT | 输出 | 引脚输出参考时钟信号 ( CMOS output ) |
| VDD | - | 连接到电源正极。 |
| FOE | 输入 | 用于FOUT 输出控制的输入引脚。 |
| EVIN | 输入 | 用于输入事件的端子。 ( Do not make this pin OPEN.) |
| / INT | 输出 | 中断输出 (N-ch 开漏) |
| GND | - | 接地。 |
| T2(VPP) | - | 生产商用于进行测试。 （请勿进行外部连接。） |
| SDA | 输入/ 输出 | 数据输入/输出引脚。 |
引脚连接 / 外部尺寸规格
(单位: mm)
停止使用胶水
一旦LC封装的产品焊接到电路板上任何胶水都不得使用,这个产品在封装的背面有玻璃。
当胶水浸入到电路板和玻璃的中间，由于胶水的热膨胀玻璃将会破碎。
既然这样会导致晶体停振，所以必须考虑废除胶水或者不让胶水接触到LC的封装。
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处(在VDD-GND之间)添加一个0.1μF的去耦电容。
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