元器猫(yqmao.cn)为电子工程师和采购提供晶振选型(KHz晶体/MHz晶体/车规晶振/TSX系列/HC-49系列)、振荡器选型(SPXO标准振荡器/TCXO温补振荡器/VCXO压控振荡器/差分振荡器/可编程振荡器/OCXO恒温振荡器)、RTC时钟模块(I²C接口/SPI接口/电表专用)、陀螺仪传感器及IMU惯性导航模组(单轴陀螺仪/6轴IMU/高性能IMU)、传感器选型(霍尔传感器/流量传感器/压力传感器/温湿度传感器)、声表器件(SAW滤波器/SAW谐振器/介质滤波器)、MCU及蓝牙SOC、电源管理IC及MOS管、连接器选型(板对板连接器/FFC/FPC连接器/线对板连接器/USB连接器)、电感选型(功率电感/高频电感/信号电感/车载电感)等品类的参数化筛选服务。支持按品牌(EPSON/SITIME/HONEYWELL/YXC/XKB/SUNLORD/NORDIC)、频率、封装尺寸、负载电容、精度、电压、输出类型等核心参数一键筛选,FAE一对一技术支持,规格书即时下载,授权代理正品保障。
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高精度 低相位噪音
规格(特征)
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|
| VC-TCXO | TCXO | |||
| 输出频率范围 | f0 | 10 MHz to 55MHz | 请与我们联系非标准频率 | |
| 19.2MHz , 26MHz , 38.4MHz | 标准频率 | |||
| 电源电压 | VCC | 1.8V ±0.1V / 2.8V ±5% / 3.0V ±5% / 3.3V ±5% | 电源电压范围:1.7V to 3.63V | |
| 储存温度范围 | T_stg | -40°C to +90°C | 裸存 | |
| 工作温度范围 | T_use | G: -40°C to +85°C | ||
| 工作温度范围 | f_tol | ±1.5 ×10-6 Max. | 在回流焊后,+25°C | |
| 频率温度特征 | f0-TC | C: ±0.5 × 10-6 Max. / G: -40°C to +85°C F: ±2.0 × 10-6 Max. / G: -40°C to +85°C | ||
| 频率负载变动特征 | f0-Load | ±0.1 × 10-6 Max. | 10kΩ // 10pF ±10% | |
| 频率电源电压特征 | f0-VCC | ±0.1 × 10-6 Max. | VCC ± 5% | |
| 频率老化 | f_age | ±0.5 × 10-6 Max. | +25°C,第一年, 10 MHz 12 MHz ≦ f0 ≦ 20 MHz 24 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz | |
| ±1.5 × 10-6 Max. | +25°C,第一年, 10 MHz < f0 < 12 MHz 20 MHz < f0 < 24 MHz 40 MHz < f0 ≦ 55 MHz | |||
| 功耗 | ICC | 1.5 mA Max. | 10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz | |
| 1.8 mA Max. | 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz | |||
| 2.0 mA Max. | 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz | |||
| 2.1 mA Max. | 50 MHz < f0 ≦ 55 MHz | |||
| 输入电阻 | Rin | 500 kΩ Min. | - | VC - GND(DC) |
| 频率控制范围 | f_cont | ±8.0 × 10-6 to ±12.0 × 10-6 | - | B: VC =0.9V ±0.6V (VCC=1.8V) C: VC =1.4V ±1.0V (VCC=2.8V) D: VC =1.5V ±1.0V (VCC=3.0V) E: VC =1.65V ±1.0V (VCC=3.3V) |
| 频率变化极 | - | 正极 | - | |
| 占空比 | SYM | 45% to 55% | GND 极 (DC 切割) | |
| 出力電圧 | VPP | 0.8V Min. | 峰-峰值 | |
| 振荡启动时间 | t_str | 1.0 ms Max. | 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒 | |
| 出力負荷条件 | Load_R | 10kΩ | DC 切割电容 = 0.01µF | |
| Load_C | 10pF | |||
说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息。

外形寸法図

(単位: mm)
请保持“N.C.”引脚开路状态或GND连接。
“N.C.” 引脚不能用作接地引脚。
推荐焊盘尺寸

(単位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND 之间)添加一个0.01~0.1uF的去耦电容。

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