
低导通电阻,雪崩电压和电流参数经过全面表征,具备高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性出色,封装性能优异,散热效果出色,100%UIS测试,100%ΔVds测试
NCE60P12K 是新洁能(NCEPower)-60V/-12A P沟道功率MOSFET,TO-252-2L封装,导通电阻仅84mΩ。元器猫为新洁能官方授权一级代理,常备现货,即订即发。
该器件TO-252封装散热强,-60V/-12A适合中功率P沟道应用。每颗出厂前通过100% UIS雪崩耐量及100% ΔVds双重全检筛选,工作温度覆盖-55℃~+150℃。广泛适用于工业电机高端驱动、电源保护等高频高效功率转换场景。
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 漏源耐压 Vds | -60V |
| 连续漏电流 Id | -12A |
| 导通电阻 RDS(on)@10V | 84mΩ(典型值) |
| 导通电阻 RDS(on)@4.5V | 100mΩ |
| 阈值电压 Vgs(th) | -1.5V |
| 栅极电荷 Qg | 低Qg设计,具体数值请查阅规格书(联系FAE) |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 封装形式 | TO-252-2L |
| 工作温度范围 | -55~175℃ |
| 可靠性筛选 | 100% UIS雪崩测试 + 100% ΔVds筛选 |
| 进口品牌 | 进口型号 | 封装 | 电压/电流 | 替代方案 |
|---|---|---|---|---|
| TI/ON/AOS等 | 同规格进口型号 | TO-252-2L | -60V/-12A | → NCE60P12K |

复制产品链接
长按图片保存/分享